VSSB410S-E3/5BT | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VSSB410S-E3/5BT

VSSB410S-E3/5BT

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Numéro d'article	VSSB410S-E3/5BT
LIXINC Part #	VSSB410S-E3/5BT
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	VSSB410S-E3/5BT Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 26 - Oct 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

VSSB410S-E3/5BT Caractéristiques

Numéro d'article:	VSSB410S-E3/5BT
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	TMBS®
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Schottky
tension - dc inverse (vr) (max):	100 V
courant - moyen redressé (io):	1.9A
tension - avant (vf) (max) @ si:	770 mV @ 4 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	-
courant - fuite inverse @ vr:	1.5 µA @ 70 V
capacité @ vr, f:	230pF @ 4V, 1MHz
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	DO-214AA, SMB
paquet de dispositif de fournisseur:	DO-214AA (SMB)
température de fonctionnement - jonction:	-40°C ~ 150°C