NRVBM120LT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NRVBM120LT1G

NRVBM120LT1G

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Numéro d'article	NRVBM120LT1G
LIXINC Part #	NRVBM120LT1G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NRVBM120LT1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 23 - Oct 27 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NRVBM120LT1G Caractéristiques

Numéro d'article:	NRVBM120LT1G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	POWERMITE®
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Schottky
tension - dc inverse (vr) (max):	20 V
courant - moyen redressé (io):	1A
tension - avant (vf) (max) @ si:	650 mV @ 3 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	-
courant - fuite inverse @ vr:	100 µA @ 10 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	DO-216AA
paquet de dispositif de fournisseur:	Powermite
température de fonctionnement - jonction:	-55°C ~ 125°C