VB20120SG-M3/8W | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VB20120SG-M3/8W

VB20120SG-M3/8W

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	VB20120SG-M3/8W
LIXINC Part #	VB20120SG-M3/8W
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-263AB
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	VB20120SG-M3/8W Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

VB20120SG-M3/8W Caractéristiques

Numéro d'article:	VB20120SG-M3/8W
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Schottky
tension - dc inverse (vr) (max):	120 V
courant - moyen redressé (io):	20A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.33 V @ 20 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	-
courant - fuite inverse @ vr:	250 µA @ 120 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-263AB
température de fonctionnement - jonction:	-55°C ~ 150°C