V12PM10-M3/I | Vishay General Semiconductor – Diodes Division V12PM10-M3/I

V12PM10-M3/I

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Numéro d'article	V12PM10-M3/I
LIXINC Part #	V12PM10-M3/I
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	V12PM10-M3/I Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

V12PM10-M3/I Caractéristiques

Numéro d'article:	V12PM10-M3/I
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	eSMP®, TMBS®
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Schottky
tension - dc inverse (vr) (max):	100 V
courant - moyen redressé (io):	12A
tension - avant (vf) (max) @ si:	750 mV @ 12 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	-
courant - fuite inverse @ vr:	200 µA @ 100 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-277, 3-PowerDFN
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-277A (SMPC)
température de fonctionnement - jonction:	-40°C ~ 150°C