1N5407G-T | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) 1N5407G-T

1N5407G-T

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Numéro d'article	1N5407G-T
LIXINC Part #	1N5407G-T
Fabricant	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	1N5407G-T Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

1N5407G-T Caractéristiques

Numéro d'article:	1N5407G-T
Marque:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	800 V
courant - moyen redressé (io):	3A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.1 V @ 3 A
vitesse:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	2 µs
courant - fuite inverse @ vr:	5 µA @ 800 V
capacité @ vr, f:	40pF @ 4V, 1MHz
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	DO-201AD, Axial
paquet de dispositif de fournisseur:	DO-201AD
température de fonctionnement - jonction:	-65°C ~ 150°C