SE20FJ-M3/I

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Numéro d'article SE20FJ-M3/I
LIXINC Part # SE20FJ-M3/I
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 600V 1.7A DO219AB
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SE20FJ-M3/I Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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SE20FJ-M3/I Caractéristiques

Numéro d'article:SE20FJ-M3/I
Marque:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):600 V
courant - moyen redressé (io):1.7A
tension - avant (vf) (max) @ si:1.1 V @ 2 A
vitesse:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):920 ns
courant - fuite inverse @ vr:5 µA @ 600 V
capacité @ vr, f:13pF @ 4V, 1MHz
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:DO-219AB
paquet de dispositif de fournisseur:DO-219AB (SMF)
température de fonctionnement - jonction:-55°C ~ 175°C

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