1N4150TR | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N4150TR

1N4150TR

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Numéro d'article	1N4150TR
LIXINC Part #	1N4150TR
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	1N4150TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

1N4150TR Caractéristiques

Numéro d'article:	1N4150TR
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	50 V
courant - moyen redressé (io):	300mA (DC)
tension - avant (vf) (max) @ si:	1 V @ 200 mA
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	4 ns
courant - fuite inverse @ vr:	100 nA @ 50 V
capacité @ vr, f:	2.5pF @ 0V, 1MHz
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	DO-204AH, DO-35, Axial
paquet de dispositif de fournisseur:	DO-35
température de fonctionnement - jonction:	175°C (Max)