JDH2S02SL,L3F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation JDH2S02SL,L3F

JDH2S02SL,L3F

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Numéro d'article	JDH2S02SL,L3F
LIXINC Part #	JDH2S02SL,L3F
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	X34 HIGH FREQUENCY SCHOTTKY BARR
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	JDH2S02SL,L3F Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

JDH2S02SL,L3F Caractéristiques

Numéro d'article:	JDH2S02SL,L3F
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Schottky
tension - dc inverse (vr) (max):	10 V
courant - moyen redressé (io):	10mA (DC)
tension - avant (vf) (max) @ si:	-
vitesse:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
temps de récupération inverse (trr):	-
courant - fuite inverse @ vr:	25 µA @ 500 mV
capacité @ vr, f:	0.25pF @ 200mV, 1MHz
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	0201 (0603 Metric)
paquet de dispositif de fournisseur:	SL2
température de fonctionnement - jonction:	125°C (Max)