GB02SHT06-46 | GeneSiC Semiconductor GB02SHT06-46 | GB02SHT06-46 Inventory, Best Pricing

GB02SHT06-46

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Numéro d'article	GB02SHT06-46
LIXINC Part #	GB02SHT06-46
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE SCHOTTKY 600V 4A
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	GB02SHT06-46 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

GB02SHT06-46 Caractéristiques

Numéro d'article:	GB02SHT06-46
Marque:	GeneSiC Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	GeneSiC Semiconductor
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Silicon Carbide Schottky
tension - dc inverse (vr) (max):	600 V
courant - moyen redressé (io):	4A (DC)
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.6 V @ 1 A
vitesse:	No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	0 ns
courant - fuite inverse @ vr:	5 µA @ 600 V
capacité @ vr, f:	76pF @ 1V, 1MHz
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-46
température de fonctionnement - jonction:	-55°C ~ 225°C