1N5408G

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Numéro d'article 1N5408G
LIXINC Part # 1N5408G
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 1000V 3A DO201AD
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO 1N5408G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

1N5408G Caractéristiques

Numéro d'article:1N5408G
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):1000 V
courant - moyen redressé (io):3A
tension - avant (vf) (max) @ si:1 V @ 3 A
vitesse:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):-
courant - fuite inverse @ vr:10 µA @ 1000 V
capacité @ vr, f:-
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:DO-201AA, DO-27, Axial
paquet de dispositif de fournisseur:DO-201AD
température de fonctionnement - jonction:-65°C ~ 150°C

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