RFN1LAM6STR | ROHM Semiconductor RFN1LAM6STR | RFN1LAM6STR Inventory, Best Pricing

RFN1LAM6STR

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	RFN1LAM6STR
LIXINC Part #	RFN1LAM6STR
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	RFN1LAM6STR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

RFN1LAM6STR Caractéristiques

Numéro d'article:	RFN1LAM6STR
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	600 V
courant - moyen redressé (io):	800mA
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.45 V @ 800 mA
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	35 ns
courant - fuite inverse @ vr:	1 µA @ 600 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SOD-128
paquet de dispositif de fournisseur:	PMDTM
température de fonctionnement - jonction:	150°C (Max)