JAN1N6629US | Microsemi JAN1N6629US | JAN1N6629US Inventory, Best Pricing

JAN1N6629US

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Numéro d'article	JAN1N6629US
LIXINC Part #	JAN1N6629US
Fabricant	Microsemi
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	JAN1N6629US Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 27 - Oct 31 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

JAN1N6629US Caractéristiques

Numéro d'article:	JAN1N6629US
Marque:	Microsemi
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Microsemi
série:	Military, MIL-PRF-19500/590
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	880 V
courant - moyen redressé (io):	1.4A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.4 V @ 1.4 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	50 ns
courant - fuite inverse @ vr:	2 µA @ 880 V
capacité @ vr, f:	40pF @ 10V, 1MHz
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	E-MELF
paquet de dispositif de fournisseur:	D-5B
température de fonctionnement - jonction:	-65°C ~ 150°C