1N6483HE3/97 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N6483HE3/97

1N6483HE3/97

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Numéro d'article	1N6483HE3/97
LIXINC Part #	1N6483HE3/97
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	1N6483HE3/97 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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1N6483HE3/97 Caractéristiques

Numéro d'article:	1N6483HE3/97
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	SUPERECTIFIER®
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	800 V
courant - moyen redressé (io):	1A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.1 V @ 1 A
vitesse:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	-
courant - fuite inverse @ vr:	10 µA @ 800 V
capacité @ vr, f:	8pF @ 4V, 1MHz
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	DO-213AB, MELF (Glass)
paquet de dispositif de fournisseur:	DO-213AB
température de fonctionnement - jonction:	-65°C ~ 175°C