VS-8EWS12S-M3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-8EWS12S-M3

VS-8EWS12S-M3

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Numéro d'article	VS-8EWS12S-M3
LIXINC Part #	VS-8EWS12S-M3
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252AA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	VS-8EWS12S-M3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

VS-8EWS12S-M3 Caractéristiques

Numéro d'article:	VS-8EWS12S-M3
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	1200 V
courant - moyen redressé (io):	8A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.1 V @ 8 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	-
courant - fuite inverse @ vr:	50 µA @ 1200 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
paquet de dispositif de fournisseur:	D-PAK (TO-252AA)
température de fonctionnement - jonction:	-55°C ~ 150°C