SE12DB-M3/I

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Numéro d'article SE12DB-M3/I
LIXINC Part # SE12DB-M3/I
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 100V 3.2A TO263AC
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SE12DB-M3/I Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 02 - Jul 06 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SE12DB-M3/I Caractéristiques

Numéro d'article:SE12DB-M3/I
Marque:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:Automotive, AEC-Q101, eSMP®
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):100 V
courant - moyen redressé (io):3.2A
tension - avant (vf) (max) @ si:1.15 V @ 12 A
vitesse:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):3 µs
courant - fuite inverse @ vr:20 µA @ 100 V
capacité @ vr, f:90pF @ 4V, 1MHz
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
paquet de dispositif de fournisseur:TO-263AC (SMPD)
température de fonctionnement - jonction:-55°C ~ 175°C

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