D251N12BXPSA1 | IR (Infineon Technologies) D251N12BXPSA1 | D251N12BXPSA1 Inventory, Best Pricing

D251N12BXPSA1

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Numéro d'article	D251N12BXPSA1
LIXINC Part #	D251N12BXPSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 1.2KV 255A
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	D251N12BXPSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

D251N12BXPSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	D251N12BXPSA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	1200 V
courant - moyen redressé (io):	255A
tension - avant (vf) (max) @ si:	-
vitesse:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	-
courant - fuite inverse @ vr:	30 mA @ 1200 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Stud Mount
paquet / caisse:	DO-205AA, DO-8, Stud
paquet de dispositif de fournisseur:	-
température de fonctionnement - jonction:	-40°C ~ 180°C