BYD77B,115 | NXP Semiconductors BYD77B,115 | BYD77B,115 Inventory, Best Pricing

BYD77B,115

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Numéro d'article	BYD77B,115
LIXINC Part #	BYD77B,115
Fabricant	NXP Semiconductors
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE AVALANCHE 100V 850MA MELF
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BYD77B,115 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BYD77B,115 Caractéristiques

Numéro d'article:	BYD77B,115
Marque:	NXP Semiconductors
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	NXP Semiconductors
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type de diodes:	Avalanche
tension - dc inverse (vr) (max):	100 V
courant - moyen redressé (io):	850mA
tension - avant (vf) (max) @ si:	980 mV @ 1 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	25 ns
courant - fuite inverse @ vr:	1 µA @ 100 V
capacité @ vr, f:	50pF @ 0V, 1MHz
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SOD-87
paquet de dispositif de fournisseur:	MELF
température de fonctionnement - jonction:	-65°C ~ 175°C