BYD17G,115 | NXP Semiconductors BYD17G,115 | BYD17G,115 Inventory, Best Pricing

BYD17G,115

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Numéro d'article	BYD17G,115
LIXINC Part #	BYD17G,115
Fabricant	NXP Semiconductors
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE AVALANCHE 400V 1.5A MELF
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BYD17G,115 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BYD17G,115 Caractéristiques

Numéro d'article:	BYD17G,115
Marque:	NXP Semiconductors
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	NXP Semiconductors
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type de diodes:	Avalanche
tension - dc inverse (vr) (max):	400 V
courant - moyen redressé (io):	1.5A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.05 V @ 1 A
vitesse:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	3 µs
courant - fuite inverse @ vr:	1 µA @ 400 V
capacité @ vr, f:	21pF @ 0V, 1MHz
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SOD-87
paquet de dispositif de fournisseur:	MELF
température de fonctionnement - jonction:	-65°C ~ 175°C