D850N30TXPSA1 | IR (Infineon Technologies) D850N30TXPSA1 | D850N30TXPSA1 Inventory, Best Pricing

D850N30TXPSA1

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Numéro d'article	D850N30TXPSA1
LIXINC Part #	D850N30TXPSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 3KV 850A
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	D850N30TXPSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

D850N30TXPSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	D850N30TXPSA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	3000 V
courant - moyen redressé (io):	850A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.28 V @ 850 A
vitesse:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	-
courant - fuite inverse @ vr:	50 mA @ 3000 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	DO-200AB, B-PUK
paquet de dispositif de fournisseur:	-
température de fonctionnement - jonction:	-40°C ~ 160°C