ESH2BHE3/5BT | Vishay General Semiconductor – Diodes Division ESH2BHE3/5BT

ESH2BHE3/5BT

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Numéro d'article	ESH2BHE3/5BT
LIXINC Part #	ESH2BHE3/5BT
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	ESH2BHE3/5BT Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

ESH2BHE3/5BT Caractéristiques

Numéro d'article:	ESH2BHE3/5BT
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Discontinued at Digi-Key
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	100 V
courant - moyen redressé (io):	2A
tension - avant (vf) (max) @ si:	930 mV @ 2 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	35 ns
courant - fuite inverse @ vr:	2 µA @ 100 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	DO-214AA, SMB
paquet de dispositif de fournisseur:	DO-214AA (SMB)
température de fonctionnement - jonction:	-55°C ~ 175°C