GB10SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor GB10SLT12-252 | GB10SLT12-252 Inventory, Best Pricing

GB10SLT12-252

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Numéro d'article	GB10SLT12-252
LIXINC Part #	GB10SLT12-252
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	GB10SLT12-252 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

GB10SLT12-252 Caractéristiques

Numéro d'article:	GB10SLT12-252
Marque:	GeneSiC Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	GeneSiC Semiconductor
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type de diodes:	Silicon Carbide Schottky
tension - dc inverse (vr) (max):	1200 V
courant - moyen redressé (io):	10A
tension - avant (vf) (max) @ si:	2 V @ 10 A
vitesse:	No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	0 ns
courant - fuite inverse @ vr:	250 µA @ 1200 V
capacité @ vr, f:	520pF @ 1V, 1MHz
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-252
température de fonctionnement - jonction:	-55°C ~ 175°C