SIDC08D60C8X1SA1

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Numéro d'article SIDC08D60C8X1SA1
LIXINC Part # SIDC08D60C8X1SA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SIDC08D60C8X1SA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 23 - Oct 27 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SIDC08D60C8X1SA1 Caractéristiques

Numéro d'article:SIDC08D60C8X1SA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):600 V
courant - moyen redressé (io):30A (DC)
tension - avant (vf) (max) @ si:1.95 V @ 30 A
vitesse:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):-
courant - fuite inverse @ vr:27 µA @ 600 V
capacité @ vr, f:-
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:Die
paquet de dispositif de fournisseur:Die
température de fonctionnement - jonction:-40°C ~ 175°C

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