1N6080US

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Numéro d'article 1N6080US
LIXINC Part # 1N6080US
Fabricant Roving Networks / Microchip Technology
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO 1N6080US Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 23 - Oct 27 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

1N6080US Caractéristiques

Numéro d'article:1N6080US
Marque:Roving Networks / Microchip Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:Roving Networks / Microchip Technology
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Discontinued at Digi-Key
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):100 V
courant - moyen redressé (io):2A
tension - avant (vf) (max) @ si:1.5 V @ 37.7 A
vitesse:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):30 ns
courant - fuite inverse @ vr:10 µA @ 100 V
capacité @ vr, f:-
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SQ-MELF, G
paquet de dispositif de fournisseur:G-MELF (D-5C)
température de fonctionnement - jonction:-65°C ~ 155°C

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