NGTD17R120F2WP | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NGTD17R120F2WP

NGTD17R120F2WP

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Numéro d'article	NGTD17R120F2WP
LIXINC Part #	NGTD17R120F2WP
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NGTD17R120F2WP Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 25 - Oct 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NGTD17R120F2WP Caractéristiques

Numéro d'article:	NGTD17R120F2WP
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	1200 V
courant - moyen redressé (io):	-
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.8 V @ 35 A
vitesse:	-
temps de récupération inverse (trr):	-
courant - fuite inverse @ vr:	1 µA @ 1200 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	Die
paquet de dispositif de fournisseur:	Die
température de fonctionnement - jonction:	175°C (Max)

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