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BAP55LX,315

BAP55LX,315
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Numéro d'article BAP55LX,315
LIXINC Part # BAP55LX,315
Fabricant NXP Semiconductors
Catégorie semi-conducteur discret › diodes - rf
Description RF DIODE PIN 50V 135MW 2DFN
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO BAP55LX,315 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BAP55LX,315 Caractéristiques

Numéro d'article:BAP55LX,315
Marque:NXP Semiconductors
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - rf
Fabricant:NXP Semiconductors
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type de diodes:PIN - Single
tension - crête inverse (max):50V
courant - max:100 mA
capacité @ vr, f:0.28pF @ 20V, 1MHz
résistance @ si, f:800mOhm @ 100mA, 100MHz
puissance dissipée (max):135 mW
température de fonctionnement:-65°C ~ 150°C (TJ)
paquet / caisse:2-XDFN
paquet de dispositif de fournisseur:2-DFN1006D (0.6x1.0)

BAP55LX,315 Documents

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