AZ23B12-G3-18 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division AZ23B12-G3-18

AZ23B12-G3-18

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Numéro d'article	AZ23B12-G3-18
LIXINC Part #	AZ23B12-G3-18
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - zener - matrices
Description	DIODE ZENER 12V 300MW SOT23
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	AZ23B12-G3-18 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

AZ23B12-G3-18 Caractéristiques

Numéro d'article:	AZ23B12-G3-18
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - zener - matrices
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
configuration:	1 Pair Common Anode
tension - zener (nom) (vz):	12 V
tolérance:	±2%
puissance - maximum:	300 mW
impédance (max) (zzt):	20 Ohms
courant - fuite inverse @ vr:	100 nA @ 9 V
tension - avant (vf) (max) @ si:	-
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
paquet de dispositif de fournisseur:	SOT-23