BZD17C4V7P-E3-18 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BZD17C4V7P-E3-18

BZD17C4V7P-E3-18

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Numéro d'article	BZD17C4V7P-E3-18
LIXINC Part #	BZD17C4V7P-E3-18
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - zener - simples
Description	DIODE ZENER 4.7V 800MW DO219AB
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BZD17C4V7P-E3-18 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 24 - Sep 28 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BZD17C4V7P-E3-18 Caractéristiques

Numéro d'article:	BZD17C4V7P-E3-18
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - zener - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
tension - zener (nom) (vz):	4.7 V
tolérance:	-
puissance - maximum:	800 mW
impédance (max) (zzt):	-
courant - fuite inverse @ vr:	10 µA @ 10 V
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.2 V @ 200 mA
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	DO-219AB
paquet de dispositif de fournisseur:	DO-219AB (SMF)