BZD27B11P-HE3-08 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BZD27B11P-HE3-08

BZD27B11P-HE3-08

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Numéro d'article	BZD27B11P-HE3-08
LIXINC Part #	BZD27B11P-HE3-08
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - zener - simples
Description	DIODE ZENER 11V 800MW DO219AB
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BZD27B11P-HE3-08 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BZD27B11P-HE3-08 Caractéristiques

Numéro d'article:	BZD27B11P-HE3-08
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - zener - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	Automotive, AEC-Q101, BZD27B
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
tension - zener (nom) (vz):	11 V
tolérance:	-
puissance - maximum:	800 mW
impédance (max) (zzt):	7 Ohms
courant - fuite inverse @ vr:	4 µA @ 8.2 V
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.2 V @ 200 mA
température de fonctionnement:	-65°C ~ 175°C
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	DO-219AB
paquet de dispositif de fournisseur:	DO-219AB (SMF)