BZT52B9V1-G3-08 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BZT52B9V1-G3-08

BZT52B9V1-G3-08

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Numéro d'article	BZT52B9V1-G3-08
LIXINC Part #	BZT52B9V1-G3-08
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - zener - simples
Description	DIODE ZENER 9.1V 410MW SOD123
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BZT52B9V1-G3-08 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 08 - Jul 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BZT52B9V1-G3-08 Caractéristiques

Numéro d'article:	BZT52B9V1-G3-08
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - zener - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	Automotive, AEC-Q101
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
tension - zener (nom) (vz):	9.1 V
tolérance:	±2%
puissance - maximum:	410 mW
impédance (max) (zzt):	4.8 Ohms
courant - fuite inverse @ vr:	100 nA @ 7 V
tension - avant (vf) (max) @ si:	-
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SOD-123
paquet de dispositif de fournisseur:	SOD-123