BZD27B33P-E3-08

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Numéro d'article BZD27B33P-E3-08
LIXINC Part # BZD27B33P-E3-08
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - zener - simples
Description DIODE ZENER 33V 800MW DO219AB
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO BZD27B33P-E3-08 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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BZD27B33P-E3-08 Caractéristiques

Numéro d'article:BZD27B33P-E3-08
Marque:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - zener - simples
Fabricant:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:Automotive, AEC-Q101, BZD27B
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
tension - zener (nom) (vz):33 V
tolérance:-
puissance - maximum:800 mW
impédance (max) (zzt):15 Ohms
courant - fuite inverse @ vr:1 µA @ 24 V
tension - avant (vf) (max) @ si:1.2 V @ 200 mA
température de fonctionnement:-65°C ~ 175°C
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:DO-219AB
paquet de dispositif de fournisseur:DO-219AB (SMF)

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