EMB4T2R

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Numéro d'article EMB4T2R
LIXINC Part # EMB4T2R
Fabricant ROHM Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Description TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO EMB4T2R Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 03 - Jul 07 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

EMB4T2R Caractéristiques

Numéro d'article:EMB4T2R
Marque:ROHM Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Fabricant:ROHM Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
à transistors:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max):100mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):50V
résistance - base (r1):10kOhms
résistance - base émettrice (r2):-
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 1mA, 5V
vce saturation (max) @ ib, ic:300mV @ 1mA, 10mA
courant - coupure collecteur (max):-
fréquence - transition:250MHz
puissance - maximum:150mW
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SOT-563, SOT-666
paquet de dispositif de fournisseur:EMT6

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