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Numéro d'article | EMB2T2R |
LIXINC Part # | EMB2T2R |
Fabricant | ROHM Semiconductor |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés |
Description | TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | EMB2T2R Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Jul 07 - Jul 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | ![]() |
Expédition | ![]() |
Numéro d'article: | EMB2T2R |
Marque: | ROHM Semiconductor |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés |
Fabricant: | ROHM Semiconductor |
série: | - |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
à transistors: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
courant - collecteur (ic) (max): | 100mA |
tension - claquage collecteur émetteur (max): | 50V |
résistance - base (r1): | 47kOhms |
résistance - base émettrice (r2): | 47kOhms |
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce: | 68 @ 5mA, 5V |
vce saturation (max) @ ib, ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
courant - coupure collecteur (max): | 500nA |
fréquence - transition: | 250MHz |
puissance - maximum: | 150mW |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet / caisse: | SOT-563, SOT-666 |
paquet de dispositif de fournisseur: | EMT6 |
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En stock | 19364 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.49000 | $0.49 |
8000 | $0.09690 | $775.2 |
16000 | $0.08835 | $1413.6 |
24000 | $0.08265 | $1983.6 |
56000 | $0.07980 | $4468.8 |
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