IMB1AT110

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Numéro d'article IMB1AT110
LIXINC Part # IMB1AT110
Fabricant ROHM Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Description TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IMB1AT110 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IMB1AT110 Caractéristiques

Numéro d'article:IMB1AT110
Marque:ROHM Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Fabricant:ROHM Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Not For New Designs
à transistors:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max):100mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):50V
résistance - base (r1):22kOhms
résistance - base émettrice (r2):22kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:56 @ 5mA, 5V
vce saturation (max) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA
courant - coupure collecteur (max):500nA
fréquence - transition:-
puissance - maximum:300mW
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SC-74, SOT-457
paquet de dispositif de fournisseur:SMT6

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