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IMD3AT108

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Numéro d'article	IMD3AT108
LIXINC Part #	IMD3AT108
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Description	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IMD3AT108 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IMD3AT108 Caractéristiques

Numéro d'article:	IMD3AT108
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
à transistors:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max):	100mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):	50V
résistance - base (r1):	10kOhms
résistance - base émettrice (r2):	10kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	30 @ 5mA, 5V
vce saturation (max) @ ib, ic:	300mV @ 500µA, 10mA
courant - coupure collecteur (max):	500nA
fréquence - transition:	250MHz
puissance - maximum:	300mW
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SC-74, SOT-457
paquet de dispositif de fournisseur:	SMT6