NSVBA114YDXV6T1G

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Numéro d'article NSVBA114YDXV6T1G
LIXINC Part # NSVBA114YDXV6T1G
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Description TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NSVBA114YDXV6T1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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NSVBA114YDXV6T1G Caractéristiques

Numéro d'article:NSVBA114YDXV6T1G
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
à transistors:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max):100mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):50V
résistance - base (r1):10kOhms
résistance - base émettrice (r2):47kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 5mA, 10V
vce saturation (max) @ ib, ic:250mV @ 300µA, 10mA
courant - coupure collecteur (max):500nA
fréquence - transition:-
puissance - maximum:500mW
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SOT-563, SOT-666
paquet de dispositif de fournisseur:SOT-563

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