RN1911,LF(CT

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Numéro d'article RN1911,LF(CT
LIXINC Part # RN1911,LF(CT
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Description NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO RN1911,LF(CT Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RN1911,LF(CT Caractéristiques

Numéro d'article:RN1911,LF(CT
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
à transistors:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max):100mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):50V
résistance - base (r1):10kOhms
résistance - base émettrice (r2):-
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 1mA, 5V
vce saturation (max) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
courant - coupure collecteur (max):100nA (ICBO)
fréquence - transition:250MHz
puissance - maximum:100mW
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
paquet de dispositif de fournisseur:US6

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