BCR35PNH6433XTMA1

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Numéro d'article BCR35PNH6433XTMA1
LIXINC Part # BCR35PNH6433XTMA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Description TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO BCR35PNH6433XTMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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BCR35PNH6433XTMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:BCR35PNH6433XTMA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Not For New Designs
à transistors:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max):100mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):50V
résistance - base (r1):10kOhms
résistance - base émettrice (r2):47kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 5mA, 5V
vce saturation (max) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA
courant - coupure collecteur (max):-
fréquence - transition:150MHz
puissance - maximum:250mW
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:6-VSSOP, SC-88, SOT-363
paquet de dispositif de fournisseur:PG-SOT363-6

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