MUN5212DW1T1

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Numéro d'article MUN5212DW1T1
LIXINC Part # MUN5212DW1T1
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Description TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MUN5212DW1T1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 11 - Oct 15 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MUN5212DW1T1 Caractéristiques

Numéro d'article:MUN5212DW1T1
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Obsolete
à transistors:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max):100mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):50V
résistance - base (r1):22kOhms
résistance - base émettrice (r2):22kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:60 @ 5mA, 10V
vce saturation (max) @ ib, ic:250mV @ 300µA, 10mA
courant - coupure collecteur (max):500nA
fréquence - transition:-
puissance - maximum:250mW
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
paquet de dispositif de fournisseur:SC-88/SC70-6/SOT-363

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