BCR10PNE6327BTSA1 | IR (Infineon Technologies) BCR10PNE6327BTSA1 | BCR10PNE6327BTSA1 Inventory, Best Pricing

BCR10PNE6327BTSA1

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	BCR10PNE6327BTSA1
LIXINC Part #	BCR10PNE6327BTSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Description	TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BCR10PNE6327BTSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BCR10PNE6327BTSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	BCR10PNE6327BTSA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max):	100mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):	50V
résistance - base (r1):	10kOhms
résistance - base émettrice (r2):	10kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	30 @ 5mA, 5V
vce saturation (max) @ ib, ic:	300mV @ 500µA, 10mA
courant - coupure collecteur (max):	-
fréquence - transition:	130MHz
puissance - maximum:	250mW
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-SOT363-6