EMF22T2R

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Numéro d'article EMF22T2R
LIXINC Part # EMF22T2R
Fabricant ROHM Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Description TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO EMF22T2R Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

EMF22T2R Caractéristiques

Numéro d'article:EMF22T2R
Marque:ROHM Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Fabricant:ROHM Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Obsolete
à transistors:1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
courant - collecteur (ic) (max):100mA, 500mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):50V, 12V
résistance - base (r1):10kOhms
résistance - base émettrice (r2):10kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
vce saturation (max) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
courant - coupure collecteur (max):500nA
fréquence - transition:250MHz, 320MHz
puissance - maximum:150mW
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SOT-563, SOT-666
paquet de dispositif de fournisseur:EMT6

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