HN1C03FU-B,LF

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Numéro d'article HN1C03FU-B,LF
LIXINC Part # HN1C03FU-B,LF
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - matrices
Description NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO HN1C03FU-B,LF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

HN1C03FU-B,LF Caractéristiques

Numéro d'article:HN1C03FU-B,LF
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - matrices
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
à transistors:2 NPN (Dual)
courant - collecteur (ic) (max):300mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):20V
vce saturation (max) @ ib, ic:100mV @ 3mA, 30A
courant - coupure collecteur (max):100nA (ICBO)
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:350 @ 4mA, 2V
puissance - maximum:200mW
fréquence - transition:30MHz
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
paquet de dispositif de fournisseur:US6

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