HN4A51JTE85LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation HN4A51JTE85LF

HN4A51JTE85LF

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Numéro d'article	HN4A51JTE85LF
LIXINC Part #	HN4A51JTE85LF
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - matrices
Description	TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	HN4A51JTE85LF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

HN4A51JTE85LF Caractéristiques

Numéro d'article:	HN4A51JTE85LF
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - matrices
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
à transistors:	2 PNP (Dual)
courant - collecteur (ic) (max):	100mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):	120V
vce saturation (max) @ ib, ic:	300mV @ 1mA, 10mA
courant - coupure collecteur (max):	100nA (ICBO)
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	200 @ 2mA, 6V
puissance - maximum:	300mW
fréquence - transition:	100MHz
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SC-74A, SOT-753
paquet de dispositif de fournisseur:	SMV