NSVEMT1DXV6T1G

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Numéro d'article NSVEMT1DXV6T1G
LIXINC Part # NSVEMT1DXV6T1G
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - matrices
Description TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NSVEMT1DXV6T1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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NSVEMT1DXV6T1G Caractéristiques

Numéro d'article:NSVEMT1DXV6T1G
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - matrices
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
à transistors:2 PNP (Dual)
courant - collecteur (ic) (max):100mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):60V
vce saturation (max) @ ib, ic:500mV @ 5mA, 50mA
courant - coupure collecteur (max):500pA (ICBO)
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 1mA, 6V
puissance - maximum:500mW
fréquence - transition:140MHz
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SOT-563, SOT-666
paquet de dispositif de fournisseur:SOT-563

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