VT6T12T2R

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Numéro d'article VT6T12T2R
LIXINC Part # VT6T12T2R
Fabricant ROHM Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - matrices
Description TRANS GP BJT PNP 50V 0.1A 6-PIN
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO VT6T12T2R Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

VT6T12T2R Caractéristiques

Numéro d'article:VT6T12T2R
Marque:ROHM Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - matrices
Fabricant:ROHM Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
à transistors:2 PNP (Dual)
courant - collecteur (ic) (max):100mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):50V
vce saturation (max) @ ib, ic:400mV @ 5mA, 50mA
courant - coupure collecteur (max):100nA (ICBO)
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 1mA, 6V
puissance - maximum:150mW
fréquence - transition:300MHz
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:6-SMD, Flat Leads
paquet de dispositif de fournisseur:VMT6

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