BFU660F,115

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Numéro d'article BFU660F,115
LIXINC Part # BFU660F,115
Fabricant NXP Semiconductors
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - rf
Description RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO BFU660F,115 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 19 - Oct 23 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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BFU660F,115 Caractéristiques

Numéro d'article:BFU660F,115
Marque:NXP Semiconductors
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:NXP Semiconductors
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
à transistors:NPN
tension - claquage collecteur émetteur (max):5.5V
fréquence - transition:21GHz
facteur de bruit (db typ @ f):0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
gagner:12dB ~ 21dB
puissance - maximum:225mW
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:90 @ 10mA, 2V
courant - collecteur (ic) (max):60mA
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SOT-343F
paquet de dispositif de fournisseur:4-DFP

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