55GN01MA-TL-E

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Numéro d'article 55GN01MA-TL-E
LIXINC Part # 55GN01MA-TL-E
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - rf
Description RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO 55GN01MA-TL-E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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55GN01MA-TL-E Caractéristiques

Numéro d'article:55GN01MA-TL-E
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
à transistors:NPN
tension - claquage collecteur émetteur (max):10V
fréquence - transition:4.5GHz ~ 5.5GHz
facteur de bruit (db typ @ f):1.9dB @ 1GHz
gagner:10dB @ 1GHz
puissance - maximum:400mW
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 10mA, 5V
courant - collecteur (ic) (max):70mA
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SC-70, SOT-323
paquet de dispositif de fournisseur:3-MCP

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