MMBTH10M3T5G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MMBTH10M3T5G

MMBTH10M3T5G

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Numéro d'article	MMBTH10M3T5G
LIXINC Part #	MMBTH10M3T5G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - rf
Description	RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MMBTH10M3T5G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MMBTH10M3T5G Caractéristiques

Numéro d'article:	MMBTH10M3T5G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
à transistors:	NPN
tension - claquage collecteur émetteur (max):	25V
fréquence - transition:	650MHz
facteur de bruit (db typ @ f):	-
gagner:	-
puissance - maximum:	265mW
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	60 @ 4mA, 10V
courant - collecteur (ic) (max):	-
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SOT-723
paquet de dispositif de fournisseur:	SOT-723