BFU580GX

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Numéro d'article BFU580GX
LIXINC Part # BFU580GX
Fabricant NXP Semiconductors
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - rf
Description RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT223
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO BFU580GX Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BFU580GX Caractéristiques

Numéro d'article:BFU580GX
Marque:NXP Semiconductors
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:NXP Semiconductors
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
à transistors:NPN
tension - claquage collecteur émetteur (max):12V
fréquence - transition:11GHz
facteur de bruit (db typ @ f):1.4dB @ 1.8GHz
gagner:10.5dB
puissance - maximum:1W
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:60 @ 30mA, 8V
courant - collecteur (ic) (max):60mA
température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-261-4, TO-261AA
paquet de dispositif de fournisseur:SOT-223

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