BF799WE6327BTSA1 | IR (Infineon Technologies) BF799WE6327BTSA1 | BF799WE6327BTSA1 Inventory, Best Pricing

BF799WE6327BTSA1

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Numéro d'article	BF799WE6327BTSA1
LIXINC Part #	BF799WE6327BTSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - rf
Description	RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BF799WE6327BTSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BF799WE6327BTSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	BF799WE6327BTSA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	NPN
tension - claquage collecteur émetteur (max):	20V
fréquence - transition:	800MHz
facteur de bruit (db typ @ f):	3dB @ 100MHz
gagner:	-
puissance - maximum:	280mW
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	40 @ 20mA, 10V
courant - collecteur (ic) (max):	35mA
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SC-70, SOT-323
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-SOT323-3