2SC5415AF-TD-E | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor 2SC5415AF-TD-E

2SC5415AF-TD-E

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	2SC5415AF-TD-E
LIXINC Part #	2SC5415AF-TD-E
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - rf
Description	RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	2SC5415AF-TD-E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

2SC5415AF-TD-E Caractéristiques

Numéro d'article:	2SC5415AF-TD-E
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
à transistors:	NPN
tension - claquage collecteur émetteur (max):	12V
fréquence - transition:	6.7GHz
facteur de bruit (db typ @ f):	1.1dB @ 1GHz
gagner:	9dB
puissance - maximum:	800mW
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	90 @ 30mA, 5V
courant - collecteur (ic) (max):	100mA
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-243AA
paquet de dispositif de fournisseur:	PCP